防爆電器在GTO的基礎卜-，近年開發(fā)出一種門極換流晶閘管(GCT)，它采用了一些新技術，如穿透型陽極，使電荷存儲時間和拖尾電流減小，制約了二次擊穿，可無緩沖器運行；GCT的N緩沖層，使硅片厚度以及通態(tài)損耗和開關損耗減少；GCT的特殊的環(huán)狀門極，使GCT開通時間縮短且串、并聯(lián)容易。因此，GCT除有GTO高電壓、大電流、低導通壓降的優(yōu)點，又改善了其開通和關斷性能，使工作頻率有所提高。
防爆電器絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種復合型全控器件，具有MOSFET(輸入阻抗高、開關速度快)和GTR(耐壓高、電流密度大)二者的優(yōu)點。柵極為電壓控制，驅動功率臥；開關損耗小，工作頻率高；沒有二次擊穿，不需緩沖電路；是目前中等功率電力電子置中的主流器件。除低壓1GBT(1 700V／1 200A)外，已開發(fā)tti高壓IGBT，可達13．3kV／1．2kA或4．5kV／0．9kA的水平。IGBT的不足之處是；高壓IGBT內阻大，因而酪通損耗大；防爆電器低壓IGB7F應用于高壓電路需多個串聯(lián)。表1-2為GTO、IGCT、IGBT的一些技術參數(shù)的比較。由表1 2可以得出，在lkHz以下，IGCT有一定優(yōu)點；在較高工腳頻率下，高壓IGBT更具優(yōu)勢。